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EMI傳導(dǎo)和輻射測(cè)試儀
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近場(chǎng)探頭
更詳細(xì)的產(chǎn)品分類
產(chǎn)品圖片
產(chǎn)品名稱/型號(hào)
產(chǎn)品簡(jiǎn)單介紹
近場(chǎng)探頭
PS-400
PS-400近場(chǎng)探頭是一款由**探頭,寬帶探頭,H場(chǎng)探頭和探頭箱組成的近場(chǎng)探頭組。此款產(chǎn)品性能以及易用性優(yōu)良。其獨(dú)特的設(shè)計(jì)使得由于手握位置和電纜布置造成的過于狹小或者難以到達(dá)的位置能通過此款探頭組進(jìn)行測(cè)試。
近場(chǎng)探頭
Beehive 101A
配合BEEHIVE 近場(chǎng)探頭使用,近場(chǎng)測(cè)試的目的是為了找到電磁干擾的源頭,對(duì)于信號(hào)比較微弱的場(chǎng)合,Beehive 101A近場(chǎng)探頭增加前置放大器,可以大大提高系統(tǒng)測(cè)試的靈敏度。
微型近場(chǎng)探頭組
MFA 01
MFA 01微型近場(chǎng)探頭組的分辨率高,在磁場(chǎng)測(cè)量方面性能優(yōu)異。MFA 01微型近場(chǎng)探頭組可以測(cè)量頻率范圍在6GHz以下的磁場(chǎng)。
射頻H場(chǎng)測(cè)試探頭
P1602和P1702
射頻H場(chǎng)測(cè)試探頭P1602和P1702用于電路板上電磁近場(chǎng)的射頻測(cè)試。用探頭測(cè)試到電壓說明 電路板受到 H 場(chǎng)刺激。射頻H場(chǎng)測(cè)試探頭P1602和P1702通過一個(gè)隔離環(huán),探頭放置于距離電路板 3米或者 10 米的固定位置。
近場(chǎng)探頭套件
N9311X-100
N9311X-100近場(chǎng)探頭套件中提供了磁場(chǎng)探頭、近場(chǎng)探頭等,N9311X-100 近場(chǎng)探頭套件主要是用于探測(cè)印刷電路板、模塊、元器件、集成電路和電磁干擾源所產(chǎn)生的輻射發(fā)射。
近場(chǎng)探頭組
XF1
近場(chǎng)探頭組XF1是由4個(gè)磁場(chǎng)探頭和1個(gè)電場(chǎng)探頭組成,近場(chǎng)探頭組XF1的頻率范圍30MHz ~ 6GHz。
近場(chǎng)探頭
SX
近場(chǎng)探頭SX有電子屏蔽探針頭,特別設(shè)計(jì)用于上限頻率范圍10GHz。這些被動(dòng)近場(chǎng)探頭SX 沒有前置放大器,并且通過SMA連接器連接到光學(xué)分析儀上。
EFT注入探頭
P250
P250型EFT注入探頭按照IED 62215-3標(biāo)準(zhǔn)在集成電路進(jìn)行脈沖群耦合。EFT注入探頭P250與脈沖群發(fā)生器(IEC 61000-4-4)相連。借助可換的探針,可以通過不同的耦合電容,把干擾脈沖作用到受測(cè)的集成電路引腳上。
近場(chǎng)探頭組
LF1
LF1近場(chǎng)探頭組包含4個(gè)屏蔽無源近場(chǎng)探頭,LF1近場(chǎng)探頭組主要用于在研發(fā)階段測(cè)量電子模塊上長(zhǎng)波、中波和短波區(qū)的射頻磁場(chǎng)。
射頻注入探頭
P500系列
P500型射頻注入探頭按照IEC 62132-4標(biāo)準(zhǔn)在集成電路引腳中進(jìn)行射頻供電。當(dāng)施加干擾時(shí)能夠在集成的測(cè)量輸出端口分別測(cè)量電流和電壓。P500型射頻注入探頭工作時(shí)與一個(gè)功率放大器相連。
射頻注入探頭
P500
射頻注入探頭P500來自功率放大器的射頻干擾通過探頭流向被測(cè)針腳,同時(shí)在探頭**進(jìn)行電流和電壓的測(cè)量。射頻注入探頭P500可以記錄下的參數(shù)可以繪制IC的EMC特性,得出更正確的結(jié)論。大電流時(shí),因磁性原因產(chǎn)生功能故障,大電壓時(shí),因耦合電容產(chǎn)生故障。
近場(chǎng)探頭
EM5030 (30MHz~3GHz)高頻磁場(chǎng)探頭
EM5030/EM5030LF系列近場(chǎng)探頭組包含了7個(gè)專門用來測(cè)試磁場(chǎng)(H)探頭,它有效地屏蔽了電場(chǎng)干擾(E),主要用于電磁兼容整改時(shí)定位干擾源的近場(chǎng)探頭。EM5030近場(chǎng)探頭的頻率范圍是30MHz-3GHz,共4種探頭形狀;EM5030LF近場(chǎng)探頭的頻率范圍是9kHz-50MHz,共3種探頭形狀。
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